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摘要第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)氯化物气相外延(HVPE)金属有机物化学气相沉积(MOCVD)本文介绍了MOCVD法在蓝宝石衬底上外延生长GaN材料并利用其无掩模横向外延生长GaN 薄膜与同样生长条件下在未经腐蚀预处理的蓝宝石衬底上外延的GaN 薄膜进行对比测试[1]测试分析结果表明经过腐蚀预处理的G
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东南大学
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? 1995-2004 Tsinghua
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