摘要第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)氯化物气相外延(HVPE)金属有机物化学气相沉积(MOCVD)本文介绍了MOCVD法在蓝宝石衬底上外延生长GaN材料并利用其无掩模横向外延生长GaN 薄膜与同样生长条件下在未经腐蚀预处理的蓝宝石衬底上外延的GaN 薄膜进行对比测试[1]测试分析结果表明经过腐蚀预处理的G
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级LED工艺简介LED 发光管是怎样练成的衬底材料生长或购买衬底LED结构MOCVD生长芯片加工芯片切割器件封装Sapphire蓝宝石 2-inch衬底片 氮化物LED发光管的器件结构及发光机理electrons电子空穴复合发光P 欧姆接触N 欧姆接触蓝宝石或碳化硅MOCVD外延蓝宝石缓冲层N-GaNp-Ga
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