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填空题1.在常温下硅二极管的门槛电压约为 0.5V导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V2二极管的正向电阻 小 反向电阻 大 3二极管的最主要特性是 单向导电性 PN结外加正向电压时扩散电流 大于 漂移电流耗尽层 变窄 4二极管最主要的电特性是 单向导电性 稳压二极管在使用
答案一律写在考点统一发的答题纸上否则无效 一填空题(每空1分共20分)PN结加正向电压时空间电荷区的宽度将(1) 稳压管的稳压区是其工作在(2) 当晶体管工作在放大区时正向偏置的是 (3) 结反向偏置的是(4) 结差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的(5) 共模信号是两个输入端信号的(6) 运算放大器虚短路概念的条件是(7) 虚短路概念的条件是(8)若要降低输出电阻应采用(9)负反馈若要提
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第一章 半导体器件一半导体基础知识:N型半导体在本征半导体中加入5价元素P型半导体在本征半导体中加入3价元素二半导体二极管1二极管的单向导通性604020– 0.002– 0.00400.51.0–25–50I mAU V正向特性死区电压击穿电压U(BR)反向特性加正向电压时导通呈现很小的正向电阻如同开关闭合 加反向电
下一页导通压降死区电压 若二极管是理想的正向导通时正向管压降为零反向截止时二极管相当于断开uoC(b) CT E ?0 直流通路–ui–C1–iC1. 直流通路估算 IBT动态:放大电路有信号输入(ui ?0)时的工作状态?ib 晶体管的BE之间可用rbe等效代替E输入电阻B估算法:I1RB1?线性区i––RF?uo?R3 — 净输入信号 若三者同
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R2T2R3R63)画出两级放大电路的H参数小信号等效电路求中频电压增益输入电阻Ri和输出电阻Ro的参数表达式T14)若只考虑C4的影响试求电路下限频率fL的参数表达式并定性画出波特图若接负载电阻4)试估算当电路输出最大功率时的输入电压的有效值Vi由此判断BJT能正常工作=1VC?A1vo1改正图中的错误2标出电路各部分的名称3若稳压管的稳压值为VZ 确定输出直流电压VO的调节范围
复习课主要内容:1 考试题型和范围2各章知识点1 题型和范围有4种题型:(1)填空题:每空1分,共20分;(2)单项选择题:每题2分,共20分;(3)分析题:共两小题,每题10分,共20分。(4)计算题:共四小题,每题10分,共40分。分别来自第2章、第3章、第6章和第7章。2 各章知识点第1章 半导体基础知识11 半导体基础知识(1)N型半导体和P型半导体基本概念及多子和少子。(2)PN结的形成
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