填空题1.在常温下硅二极管的门槛电压约为 0.5V导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V2二极管的正向电阻 小 反向电阻 大 3二极管的最主要特性是 单向导电性 PN结外加正向电压时扩散电流 大于 漂移电流耗尽层 变窄 4二极管最主要的电特性是 单向导电性 稳压二极管在使用
答案一律写在考点统一发的答题纸上否则无效 一填空题(每空1分共20分)PN结加正向电压时空间电荷区的宽度将(1) 稳压管的稳压区是其工作在(2) 当晶体管工作在放大区时正向偏置的是 (3) 结反向偏置的是(4) 结差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的(5) 共模信号是两个输入端信号的(6) 运算放大器虚短路概念的条件是(7) 虚短路概念的条件是(8)若要降低输出电阻应采用(9)负反馈若要提
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R2T2R3R63)画出两级放大电路的H参数小信号等效电路求中频电压增益输入电阻Ri和输出电阻Ro的参数表达式T14)若只考虑C4的影响试求电路下限频率fL的参数表达式并定性画出波特图若接负载电阻4)试估算当电路输出最大功率时的输入电压的有效值Vi由此判断BJT能正常工作=1VC?A1vo1改正图中的错误2标出电路各部分的名称3若稳压管的稳压值为VZ 确定输出直流电压VO的调节范围
模拟电路习题课(第一章第二章)一.判断题 (正确的打上错误的打上×) 1.当温度升高时三极管穿透电流增大2.直接耦合放大电路只能放大交流信号3.已知三极管的基极电流iB=( Sinωt) mA 由此可知:该管的IB=mA=0时 增强型MOS管能够工作在恒流区5.在共射共基共集三种基本放大电路中 共射电路的输入电阻最高6.当温度升高时二极管的正向导通电压增大=0时能
判断题:(1)因为N型半导体的多子是自由电子所以它带负电( 错 )(2)PN结在无光照无外加电压时结电流为零( 对 )(3)处于放大状态的晶体管集电极电流是多子漂移运动形成的( 错 )(4)只有电路既放大电流又放大电压才称其有放大作用( 错 )(5)可以说任何放大电路都有功率放大作用( 对 )(7)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的( 错 )(8)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作(
电路基础复习提纲一直流电路部分掌握电路的基本变量(电压电流电位功率等)及参考方向的概念掌握线性电阻电容电感元件的伏安特性及其与参考方向的关系熟悉元件的储能性质(电阻耗能电容电感储能)2掌握功率的基本表达式及功率性质(提供吸收)的判断方法能够根据给定电路(电路给定的参数标出的电压电流参考方向)计算出电路的电压电流功率3掌握KCLKVL能熟练的结合参考方向列KCLKVL方程求解电路的电流和电压4
练习一填空题1本征半导体自由电子浓度 空穴浓度N型半导体的自由电子浓度 空穴浓度P型半导体的自由电子浓度 空穴浓度(大于小于等于)2二极管最主要的电特性是 在常温下硅二极管正向导通压降约为 锗二极管正向导通压降约为 3当温度升高时晶体三极管集电极电流Ic 发射结压降
模拟电子电路模拟试题3答案填空题(每空分共30分)正偏反偏阻容耦合直接耦合直接耦合变压器耦合窄稳定放大倍数改善非线性失真抑制干扰和噪声或改变输入电阻和输出电阻(四条中选三条即可)RC振荡LC振荡石英晶体振荡石英晶体振荡整流滤波稳压反向求和运算滞回比较甲类甲乙类 选择题(每空2分共10分)1.C 2.A 3.A 4.C 5.B计算题(本题18分)1. ICQ = (UCC-UCEQ)R
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