有机发光二极管光取出技术进展蓝露华陶洪李美灵高栋雨邹建华徐苗王磊彭俊彪 1 华南理工大学高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实验室广州510640 2 广州新视界光电科技有限广州510530 (a)偶极子模型示意图(b)不同ETL厚度下OLED器件各耦合模式中的能量比 20 21 物理化学学报201733(8):
有机发光二极管光取出技术进展蓝露华陶洪李美灵高栋雨邹建华徐苗王磊彭俊彪 1 华南理工大学高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实验室广州510640 2 广州新视界光电科技有限广州510530 (a)红光底发射OLED数值功耗谱线(b) ITO-OLED器件TE和TM模式仿真多色功耗谱 22 23 物理化学学报201733(8):
有机发光二极管光取出技术进展蓝露华陶洪李美灵高栋雨邹建华徐苗王磊彭俊彪 1 华南理工大学高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实验室广州510640 2 广州新视界光电科技有限广州510530 (a)发光材料的化学分子结构(b)串联WOLED器件结构 123 物理化学学报201733(8):
有机发光二极管光取出技术进展蓝露华陶洪李美灵高栋雨邹建华徐苗王磊彭俊彪 1 华南理工大学高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实验室广州510640 2 广州新视界光电科技有限广州510530 (a) DBR反射镜衬底制备流程(b)含DBR反射镜的OLED微腔器件结构 137 物理化学学报201733(8):
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级发光二极管(LED——Light emitting diode)发光二极管发光二极管是由Ⅲ-Ⅴ族化合物如GaAs(砷化镓)GaP(磷化镓)GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的其核心是PN结发光二极管——结型电致发光半导体器件原子核电子高能级低能级孤立原子的能级围绕原子核旋转的电子能量不能任意取值只能取特定的离散值(离散轨道)这
发光二极管技术参数集发光二极管技术参数 电路图 220V除以20mA等于电阻11K左右取20K流过发光二极管电流为10mA技术类别:单片机 普通发光二极管的正向饱和压降为1.6V2.1V 发光二极管串20K电阻用在交流220V做指示灯正向工作电流为520mALED的特性1.极限参数的意义(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值超过此值L
E2hv空穴P-Alx Ga1-x AsSiO2绝缘层三驱动电路LED外形可分为圆形方形矩形三角形和组合形等多种 面发光 5寿命长基本上不需要维修可作为地板马路广场地面的信号光源是一个新的应用领域LED芯片电平表
國立彰化師範大學藍光實驗室 陳俊榮2國立彰化師範大學藍光實驗室 陳俊榮單型有機EL元件結構20040406國立彰化師範大學藍光實驗室 陳俊榮國立彰化師範大學藍光實驗室 陳俊榮國立彰化師範大學藍光實驗室 陳俊榮2004040620國立彰化師範大學藍光實驗室 陳俊榮
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级4.7 光电二极管外形光变化-电流变化光电转换器光敏特性 (a) (b) 光电二极管的符号与光电特性的测量电路(a)符号 (b)光电特性的测量电路硅光电二极管光电二极管的伏安特性有光光电接收二极管反偏状态光电流(恒流)光电流与照度线性关系无光暗电流国产硅光电二极管按
深圳市博电电子技术有限文件编号QR--QA--版本号1.0发光二极管检验规程页次第 1 页共 1 页生效日期2005.07.25说明目的规范来料检验保证产品质量适用范围适用于IQC来料检验抽样标准依据GB2828-1987 II 级一次抽样正常检验数量少于20则全数检验 接收水准致命缺陷(CR)AQL0.1主要缺陷(MA)AQL0.4次要缺陷(MI)AQL1.5试验项目可焊性尺寸项目
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报