3 逻辑门电路 CMOS漏极开路门和三态输出门电路CMOS门集成电路:广泛应用于超大规模甚大规模集成电路74LS系列 2)1输出低电平V0负载门输入低电平时的噪声容限:v噪声 PLH505. 延时?功耗积高电平扇出数:电源电压:MOS管工作在可变电阻区输出低电平1.工作原理S1 0V0 V0在由于电路具有互补对称的性质它的开通时间与关闭时间是相等的平均延迟时间:10 ns截止截止与非门N1A
第二层 第三层 第四层 第五层数字集成电路分类:双极性集成电路:TTL电路ECL电路 速度快功耗大MOS集成电路PMOS电路NMOS电路CMOS电路 功耗低集成度高312023北京邮电大学 . MOS晶体管的分类 1. PMOS管 PMOS管的导电沟道是P沟道参与导电的多数载流子是空穴MOS管只有当栅极和衬底之间外加一定电压且栅源电压UGS大于某一值时才能在漏源之间形成沟道我们称使漏源之间形成沟
Click 逻辑表达式y1 例 1 已知逻辑电路如图 4 - 2 所示分析其功能000001010011100101110111ABC01000000F图 4 – 9 例 5 逻辑图 输 入1 1 11 1 10 0 00 0 10 1
单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级3.2 TTL逻辑门3.2.1 BJT的开关特性3.2.2 基本BJT反相器的动态特性3.2.3 TTL反相器的基本电路3.2.4 TTL逻辑门电路3.2.5 集电极开路门和三态门3.2.6 BiMOS门电路3.2 TTL逻辑门3.2.1 BJT的开关特性iB?0iC?0vOVCE≈VCCce极之间近似
单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级3 逻辑门电路3.1 MOS逻辑门电路3.2 TTL逻辑门电路3.3 射极耦合逻辑门电路3.4 砷化镓逻辑门电路3.5 逻辑描述中的几个问题3.6 逻辑门电路使用中的几个实际问题 3.7 用VerilogHDL描述逻辑门电路教学基本要求:1了解半导体器件的开关特性2熟练掌握基本逻辑门(与或与非或非异
单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级3.6 逻辑门电路使用中的几个实际问题3.6.1 各种门电路之间的接口问题3.6.2 门电路带负载时的接口问题1)驱动器件的输出电压必须处在负载器件所要求的输入电压范围包括高低电压值(属于电压兼容性的问题)在数字电路或系统的设计中往往将TTL和CMOS两种器件混合使用以满足工作速度或者功耗指标的要求由于每
第三章 组合逻辑电路 内容可由用户编好后写入一经写入不能更改数据输出Db-1……ROM 存储容量 = 字线数 ? 位线数 = 2n ? b(位)A1断开AY=AYm0Zb-1n个输入变量=W0W2A1END0与门阵列A1END0与门阵列0 03. 功能说明0 1 0 1输出函数1m3m131. 存储容量存储容量 256 ?427128 :ROM 工作A0A10O50地址线合并(共用)CS
#
? Digital Integrated Circuits2ndClick to edit Master title styleClick to edit Master text stylesSecond LevelThird LevelFourth LevelFifth LevelDevicesDigital Integrated CircuitsA Design PerspectiveThe
单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级3 逻辑门电路3.1 MOS逻辑门电路3.2 TTL逻辑门电路3.3 射极耦合逻辑门电路3.4 砷化镓逻辑门电路3.5 逻辑描述中的几个问题3.6 逻辑门电路使用中的几个实际问题 3.7 用VerilogHDL描
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报