51金属-氧化物-半导
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第四章 场效应管放大电路BJT的缺点:输入电阻较低 温度特性差场效应管(FET):利用电场效应控制其电流的半导体器件优点:输入电阻非常高(高达1071015欧姆)噪声低热稳定性好 抗辐射能力强工艺简单便于集成根据结构不同分为:结型场效应管(JFET)
华成英 模拟电子技术基础Fundamentals of Analog Electronic 第五章 场效应管及其放大电路第五章 场效应管及其放大电路§ 场效应管§ 场效应管基本放大电路§ 场效应管一结型场效应管二绝缘栅型场效应管三场效应管的分类3一结型场效应管(以N沟道为例) 场效应管有三个极:源极(s)栅极(g)漏极(d)对应于晶体管的ebc有三个工作区域:截止区恒流区可变电阻区对应于晶
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5 场效应管放大电路4偏置: MOSFET放大电路 和上式联立求解VP(UGS(off) ) < uGS <0且uDS >0的情况自偏置电路
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级4 场效应管放大电路4.1 结型场效应管4.3 金属-氧化物-半导体场效应管4.4 场效应管放大电路4.5 各种放大器件电路性能比较4.2 砷化镓金属-半导体场效应管类比:与BJT放大电路自学(归纳比较)MOS管简单介绍掌握场效应管的工作原理注意与BJT的异同点?1多级放大电路输入级—Ri?中间放大级—AV ?输出
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