第19 卷第 12 期
第19 卷第 9 期
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第 19 卷第 3 期
摘要第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)氯化物气相外延(HVPE)金属有机物化学气相沉积(MOCVD)本文介绍了MOCVD法在蓝宝石衬底上外延生长GaN材料并利用其无掩模横向外延生长GaN 薄膜与同样生长条件下在未经腐蚀预处理的蓝宝石衬底上外延的GaN 薄膜进行对比测试[1]测试分析结果表明经过腐蚀预处理的G
第 26 卷 第 3 期
异质外延:不同材料之间的外延生长.立方结构若采用异质结 发射区采用能带带隙较宽的材料(带隙增大ΔEg)相对与原来的同质结npn晶体管:定义失配应变:(b) (部分)弛豫通过失配位错消除晶格失配.a=ae 外延层是未应变的.应力:单位面积的应变能:若ε=f则系统是赝晶体位错空间距离为无限大若ε=0则系统完全弛豫位错的空间距离S=bf若系统是部分弛豫的则位于两者之间赝晶体的外延薄膜的临界厚度(Matt
第20 卷第 1 期
摘要:MOCVD外延技术是国内目前刚起步的技术本文主要介绍外延的基本原理以及目前世界上主要外延生产系统的设计原理及基本构造??? 外延生长的基本原理是在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面生长出特定单晶薄膜目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法 MOCVD ??? 金属有机物化学气相淀积(Metal-Orga
第 19 卷第 4 期
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