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  P沟道符号： 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS gm=?iD?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用 在转移特性曲线上 gm为的曲线的斜率 在输出特性曲线上也可求出gm 3P沟道耗尽型MOSFET两个PN结夹着一个N型沟道三个电极：

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  P 沟道N栅极 G 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结无论漏源之间加何种极性电压总是不导电会在耗尽层和 SiO2 之间形成可移动的表面电荷层 ——-N 型沟道P 型衬底NNNBG在UDS > UGS – UT时对应于不同的uGS就有一个确定的iD 此时 可以把iD近似看成是uGS控制的电流源uGS VS图 V20P沟道符 号DOOUP符 号GOIDIDo一直流参数1. 低频跨导

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