半导体物理最后一节课注:答题需要规范严格,不规范会被扣分带计算器题型:1、概念题2、综合分析题3、画图题4、计算概念题重点章节:1、2、5原胞定义、单胞定义、原胞和单胞区别原基矢、基矢量7大晶系分别对应哪几个布拉伐格子电中性条件晶体缺陷:点缺陷、面缺陷各有哪几种直接复合、间接复合、俄歇复合霍尔效应的相关概念(P型、N型霍尔系数讨论)晶体中电子运动的特点对称操作:什么是点对称操作迁移率、扩散系数
7 附:半导体物理习题晶体结构指出下述各种结构是不是布拉伐格子。如果是,请给出三个原基矢量;如果不是,请找出相应的布拉伐格子并画出一种原胞。底心立方(在立方单胞水平表面的中心有附加点的简立方);侧面心立方(在立方单胞垂直表面的中心有附加点的简立方);边心立方(在最近邻连线的中点有附加点的简立方)。证明体心立方格子和面心立方格子互为正、倒格子。在如图1所示的二维布拉伐格子中,以格点O为原点,任意选
习题 确定晶胞中的原子数:(a)面心立方(b)体心立方(c)金刚石晶格解:(a)面心立方: 8个拐角原子×=1个原子 6个面原子×=3个原子 面心立方中共含4个原子 (b)体心立方:8个拐角原子×=1个原子 1个中心原子 =1个原子 体心立方中共含2
习题 图所示色E-k关系曲线表示了两种可能的价带说明其中哪一种对应的空穴有效质量较大为什么 解:图中B曲线对应的空穴有效质量较大 : 空穴的有效质量: 图中曲线A的弯曲程度大于曲线B 故 : 3.16 图所示为两种不同半导体材料导带中电子的E-k关系抛物线试确定两种电子的有效质量(以自由电子质量为单位)解:E-k
19世纪以IV的关系测量电阻发现电阻值不只和物质相关也和其形状相关 把通有电流的半导体放在均勺磁场中设电场沿x方向电场强度为Ex磁场方向和电场垂直沿z方向磁感应强度为Bz则在垂直于电场和磁场的y或-y方向将产生一个横向电场Ey这个现象称为霍耳效应yI xEyI x——横向霍耳电场的存在使在有垂直磁场时电场与电流不在同一方向两者之间的夹角θ称为霍耳角得1根据RH的正负判别半导体的导电类型由霍耳系数
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§ 非平衡载流子的注入与复合Injection and Rbination of Carriers(3)小注入条件: 当非平衡载流子浓度△n 和△p 远远小于多子浓度时称为小注入条件EC1非平衡载流子的寿命t半导体 非平衡态的电子与空穴各自处于热平衡态 则即EVUd = r (n0 p0)△p r (△p)2讨 论EC间接复合的四个过程甲-俘获电子乙-发射电子丙-俘获
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级电子科技大学 微电子固体电子学院半导体物理学祝远锋Semiconductor Physics课程任务 阐述半导体物理的基础理论和半导体的主要性质以适应后续专业课程的学习 教材:《半导体物理学》(第7版)刘恩科等 电子工业出版社 参考:《半导体物理学》上册 叶良修编 《半导体物理学》 顾祖毅编《Physics o
单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式School of Microelectronics半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 西安电子科技大学微电子学院 第一章 半导体晶体结构和缺陷1.1 半导体的晶体结构1.2 晶体的晶向与晶面1.3 半导体中的缺陷绪 论什么是半导体按不同的标准有不同的分类方式按固体的导电能力区分可以区分为导体半导体和绝
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