半导体物理学半导体物理学教材:《半导体物理学》,刘恩科等编著,电子工业出版社参考书:《半导体物理与器件》(第三版),Donald 著,电子工业出版社 课程考核办法 :本课采用开卷笔试的考核办法。第九周安排一次期中考试。总评成绩构成比例为:平时成绩10%; 期中考试45%;期末考试45%半导体物理学半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和
向高集成度低功耗高性能高可靠性电路方向发展与其它学科互相渗透形成新的学科领域: 光电集成MEMS生物芯片半导体的纯度和结构原子结合形式:共价键形成的晶体结构: 构成一个正四面体具有 金 刚 石 晶 体 结 构14原子的能级的分裂半导体中电子的运动半导体中E(K)与K的关系半导体中电子的加速度导带底附近例:如图所示为一晶格常数为a的Si晶胞求: (a)Si原子半径 (b)晶胞中所
单击此处编辑母版标题样式半导体器件半导体物理学半导体物理学教材:《半导体物理学》(第六版)刘恩科等编著电子工业出版社参考书:《半导体物理与器件》(第三版)Donald A.Neamen著电子工业出版社 课程考核办法 :本课采用开卷笔试的考核办法第九周安排一次期中考试总评成绩构成比例为:平时成绩10 期中考试45期末考试45半导体物理学半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布
Contact between Metal and Semiconductor and Band DiagramContact between Metal and Semiconductor and Band DiagramqVDEc(2)金属-p型半导体接触EcEcEcContact between Metal and Semiconductor and Band DiagramWmWlEc(0
第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec=(1)禁带宽度(2)导带底电子有效质量(3)价带顶电子有效质量(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:(1) 2. 晶格常数为的一维晶格当外加102Vm107 Vm的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间解:根据: 得 补充题1分别计算Si(100
单击此处编辑母版标题样式半导体器件单击此处编辑母版标题样式半导体物理学刘恩科半导体物理学教材:《半导体物理学》(第六版)刘恩科等编著电子工业出版社参考书:《半导体物理与器件》(第三版)Donald A.Neamen著电子工业出版社 课程考核办法 :本课采用开卷笔试的考核办法第九周安排一次期中考试总评成绩构成比例为:平时成绩10 期中考试45期末考试45半导体物理学半导体中的电子状态半导体中杂质和缺
单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式半导体物理单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式2007.11.1半导体物理复习课第一章 半导体中的电子状态晶体结构与共价键金刚石型结构闪锌矿型结构纤锌矿型结构氯化钠型结构能级与能带电子在原子核势场和其他电子作用下分列在不同能级相邻原子壳层形成交叠原子相互接近 形成晶体共有化运动共有化运
第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec=(1)禁带宽度 导带底电子有效质量价带顶电子有效质量(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:(1) 2. 晶格常数为的一维晶格当外加102Vm107 Vm的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间解:根据: 得 补充题1分别计算Si(100)(1
Ec(c)n型在 x 和 xL 处电子的波函数分别为φ(x) 和φ(xL)?????kz考虑自旋k空间的电子态密度为:2V(2?)31. 极值点 k0=0E(k)为球形等能面能量由 E 增加到 EdEk 空间体积增加:Ec一导带电子浓度no和价带空穴浓度poNv(cm-3) 在室温时:电中性条件二本征载流子浓度及影响因素∵ 受主全部电离本征载流子总原子=10101023=10-13>杂质原子总原子
第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: (K)=(1)禁带宽度(2)导带底电子有效质量(3)价带顶电子有效质量(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:(1) 2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格当外加102Vm107 Vm的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间解:根据: 得 补充题1分别计
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报