第5章 场效应管及其基本放大电路(2)场效应管基本放大电路主要内容场效应管放大电路静态工作点的设置场效应管放大电路的动态分析52场效应管基本放大电路共源、共漏、共栅(较少使用)三种接法基本共源放大电路基本共漏放大电路521场效应管放大电路静态工作点的设置1基本方法(例1:N沟道JFET基本共源放大电路)直流通路(例1:N沟道JFET基本共源放大电路)5211基本方法(例2:N沟道增强型MO
5 场效应管放大电路4偏置: MOSFET放大电路 和上式联立求解VP(UGS(off) ) < uGS <0且uDS >0的情况自偏置电路
MOSFET放大电路 N沟道增强型MOSFET1. 结构(N沟道) 产生电场但未形成导电沟道(感生沟道)ds间加电压后没有电流产生?电场强度减小vDS??夹断区延长 给定一个vGS 就有一条不同的 iD – vDS 曲线② 可变电阻区 vDS≤(vGS-VT)其中NMOS增强型 MOSFET的主要参数三极限参数 2. 图解分析1. 直流偏置及静态工作点的计算(2)
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级4 场效应管放大电路4.1 结型场效应管4.3 金属-氧化物-半导体场效应管4.4 场效应管放大电路4.5 各种放大器件电路性能比较4.2 砷化镓金属-半导体场效应管类比:与BJT放大电路自学(归纳比较)MOS管简单介绍掌握场效应管的工作原理注意与BJT的异同点?1多级放大电路输入级—Ri?中间放大级—AV ?输出
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第四章 场效应管放大电路 引言: 1.场效应管的特点 (1)它是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件 (2)它具有双极型三极管的体积小重量轻耗电少寿命长等优点 (3)还具有输入电阻高热稳定性好抗辐射能力强噪声低制造工艺简单便于集成等特点 (4)在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用 2.场效应
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级§2.6 场效应管放大电路一场效应放大电路的三种基本组态二场效应管放大电路的静态偏置及静态分析三共源场效应管放大电路的动态分析场效应管通过栅-源电压控制漏极电流因此和BJT一样可以实现
单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级4.1 结型场效应管4.2 金属-氧化物-半导体场效应管4.4 场效应管放大电路4 场效应管放大电路4.3 场效应管的主要参数概述 场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件 它不仅具有双极型三极管的体积小重量轻耗电少寿命长等优点而且还具有输入电阻高热稳定性好抗辐射能
? 三种基本放大电路的性能比较vGSQ点:可解出Q点的VGS ID VDS (2)高频模型(2)中频电压增益 例 共漏极放大电路如图示试求中频电压增益输入电阻和输出电阻(4)输出电阻BJTCE: 结型场效应管CE:则电压增益为
场效应管放大电路一选择填空(只填 = 1 GB3 ① = 2 GB3 ②…字样)1.晶体管是依靠 = 5 GB3 ⑤ 导电来工作的 = 7 GB3 ⑦ 器件场效应管是依靠 = 1 GB3 ① 导电来工作的 = 6 GB3 ⑥ 器件( = 1 GB3 ①多数载流子 = 2 GB3 ②少数载流子
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