微电子工艺基础Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesgood1Second levelgood2Third levelgood3Fourth levelgood4Fifth levelgood5 Harbin Institute of Technology in WeiHai

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级PMOS-1P(100)衬底n阱形成多晶硅淀积n阱形成大能量P离子注入RTP退火P-外延层P(100)衬底P-外延层超薄栅氧生长干氧P(100)衬底P-外延层LPCVD多晶硅淀积n阱P(100)衬底P-外延层n阱PMOS-2去胶第一次光刻(正胶)以及干法刻蚀P(100)衬底P-外延层n阱去除光刻胶P(100)衬底P-外延层n阱

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级微电子工艺(3) --定域掺杂工艺田丽1第3章 扩散扩散是微电子工艺中最基本的平面工艺在900-1200℃的高温杂质(非杂质)气氛中杂质向衬底硅片的确定区域内扩散又称热扩散目的是通过定域定量扩散掺杂改变半导体导电类型电阻率或形成PN结2内容3.1 杂质扩散机构3.2 扩散系数与扩散方程3.3 扩散杂质的分布3

《微电子工艺原理和技术》复习题一填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料?Si? ?Ge? 和化合物晶体材料?GaAs? ?InP?S集成电路衬底单晶的晶向常选(100) TTL集成电路衬底材料的晶向常选(111)常用的硅集成电路介电薄膜是?SiO2??Si3N4常用的IC互连线金属材料是?Al???Cu?画出P型(100)(111)和N型(100)(111)单晶抛光硅片的外

微电子工艺基础Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesgood1Second levelgood2Third levelgood3Fourth levelgood4Fifth levelgood5 Harbin Institute of Technology in WeiHai

单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级天津工业大学单击此处编辑母版标题样式Chap.8 光刻与刻蚀工艺光刻的重要性及要求1光刻工艺流程23湿法刻蚀与干法刻蚀技术45曝光光源曝光方式以及掩膜版光刻工艺的分辨率及光刻胶天津工业大学光刻与刻蚀的定义光刻工艺的重要性：IC设计流程图光刻图案用来定义IC中各种不同的区域如：离子注入区接触窗有源区栅极压焊点引线孔等主流微电子制造过程中光刻是最复杂昂贵

微电子工艺基础Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesgood1Second levelgood2Third levelgood3Fourth levelgood4Fifth levelgood5 Harbin Institute of Technology in WeiHai

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第 5 章 光学光刻光刻曝光刻蚀光源曝光方式 光刻概述 评价光刻工艺可用三项主要的标准：分辨率对准精度和生产效率定义:光刻：是利用类似于洗印照片的原理通过曝光和选择性化学腐蚀等工序将掩膜版上的集成电路图形印制到硅片上的精密表面加工技术 目的：在二氧化硅氮化硅多晶硅和金属等薄膜表面的光刻胶上形成与掩膜版完全对应的几