微电子工艺基础Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesgood1Second levelgood2Third levelgood3Fourth levelgood4Fifth levelgood5 Harbin Institute of Technology in WeiHai
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级电子技术工艺基础 技术支持部 目录一:安全教育 1.安全用电 2.触电急救 3.电气消防二:元器件识别及焊接技术 1.元器件的识别 3.焊接材料 4.焊接姿势与卫生 5.典型焊接介绍
主要封装工艺技术:WBTABFCBOLBILBC4UBMSMT等2题型:
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第 5 章 光学光刻光刻曝光刻蚀光源曝光方式 光刻概述 评价光刻工艺可用三项主要的标准:分辨率对准精度和生产效率定义:光刻:是利用类似于洗印照片的原理通过曝光和选择性化学腐蚀等工序将掩膜版上的集成电路图形印制到硅片上的精密表面加工技术 目的:在二氧化硅氮化硅多晶硅和金属等薄膜表面的光刻胶上形成与掩膜版完全对应的几
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跳转到第一页电工电子技术基础主编 李中发制作 李中发2003年7月正弦量的基本特征及相量表示法KCLCVL及元件伏安关系的相量形式阻抗串并联电路的分析计算正弦电路的有功功率和功率因数对称三相电路的连接方式及计算RLC串联电路的谐振条件与特征学习要点第2章 正弦电路分析第2章 正弦电路分析 正弦量的基本概念及其相量表示法 KCLKVL及元件伏安关系的相量形式 正弦交流电路的一
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