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LED芯片制造.ppt
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级LED 芯片制造刘军林LED基础知识LED－－Light Emitting Diode－－发光二极管GaN基LEDGaN材料的外延生长衬底材料：SiC蓝宝石(AL2O3)Si材料晶格常数(nm)热膨胀系数(10-6.K-1)GaN0.31895.59Al2O30.47587.5SiC0.3084.2Si0.5433.59Si衬
日期：2022-04-05 格式：.pptx 页数：50页 大小：5.47MB 发布： -
LED生产流程非常详细.docx
LED生产流程LED芯片的制造工艺流程外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiCSi)上气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面生长出特定单晶薄膜目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法 MOCVD介绍： 金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition简称 MOCVD) 1968
日期：2022-04-12 格式：.docx 页数：49页 大小：1.18MB 发布： -
LED芯片制造(刘军林).ppt
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日期：2022-04-04 格式：.pptx 页数：51页 大小：6.68MB 发布：
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