相关文档

• 常见IGBT模块及原理.docx

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)此主题相关图片如下：???? 绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点GTR饱和压降低载流密度大但驱动电流较大MOSFET驱动功率很小开关速度 快但导通压降大载流密度小IGBT综合了以上两

• IGBT模块工作原理及其注意事项.docx

  IGBT模块工作原理及其注意事项点击次数：602 发布时间：2009-5-9 11:36:45要：对IGBT的特性及使用时的注意事项进行了探讨提出了选择和安装过程中应该注意的方面1 IGBT模块简介??? IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件其输入极为MOSFET输出极

• IGBT模块工作原理以及检测方法.doc

  IGBT模块工作原理以及检测方法IGBT模块简介??? IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件其输入极为MOSFET输出极为PNP晶体管它融和了这两种器件的优点既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点其频率特性介于MOSF

• IGBT原理及应用.doc

  目录 l 11 结构  l 22 工作特性  l 2_12_1 静态特性  l 2_22_2 动态特性 l 33 发展历史  l 44 输出特性与转移特性  l 55 模块简介  l 66 等效电路  l 6_16_1 IGBT模块的选择  l 6_26_2 使用中的注意事项  l 6_36_3 保管时的注意事项

• IGBT模块驱动及保护技术.doc

  IGBT模块驱动及保护技术上网时间：2008-11-05 ??：蒋怀刚 李乔 何志伟 中心论题：深入了解IGBT的栅极特性对设计模块的驱动保护技术是十分重要的栅极串联电阻和驱动电路内阻抗对IGBT的开通过程影响较大对驱动脉冲的波形也有影响IGBT驱动电路必须具备控制电路－栅极的电隔离和提供合适的栅极驱动脉冲的功能采用慢降压栅技术实现IGBT的过流保护电路?解决方案：设计时应让栅极电路的阻抗足够

• IGBT模块选型参考.docx

  IGBT模块选型参考1．IGBT模块的功率损耗????IGBT关断截止时I(t)≈o损耗的功率可忽略为了便于分析将损耗分为导通损耗和开关损耗另外开关损耗也可分为两类：具有理想二极管时IGBT的开关损耗和考虑二极管反向恢复时间时IGBT的开关损耗??? IGBT导通时如果电流为方波脉冲那么导通能量就等于电流电压降和导通时间三者之积IGBT在任意电流和温度时的最高电压降根据数据表提供的数据可按以下两步

• NCR模块常见故障处理.doc

  1停机黑屏频繁热启动无法启动的处理 当ATM发生不能开机黑屏频繁热启动故障时请及时切断ATM电源处理方法如下： 注意：在有些型号的机器上软驱内是不能放置软盘否则机器将无法启动检查供电电压是否正常ATM正常供电电压应为198V到240V之间如果供电电压过高或过低都会造成停机黑屏频繁热启动等动作检查直流电源指示灯是否点亮正常时应为绿色常亮如果指示灯为红色或不停闪烁且供电正常应为直流电源损坏或A

• igbt工作原理及应用.doc

  IGBT原理及特点(1)2009-10-09 20:43IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点GTR饱和压降低载流密度大但驱动电流较大MOSFET驱动功率很小开关速度快但导通压降大

• 1试剂模块-常见生化试剂反应原理.ppt

  01234标题01234标题01234标题01234标题01234标题01234标题01234标题01234标题01234标题01234标题01234标题01234标题01234标题 生化试剂常见反应原理生化试剂介绍生化试剂的分类生化试剂显色原理生化试剂的性能指标生化试剂的分类按照化学性质分类酶类：包括ALTGPTASTGOTALPAKPGGT γ-GTCHE5-NTADALAPAFUGPDAA

• IGBT模块的损耗特性.docx

  IGBT模块的损耗特性IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和另外内置续流二极管的损耗为导通损耗与关断（反向恢复）损耗(ERR)之和 EONEOFFERR与开关频率的乘积为平均损耗IGBT的损耗：续流二极管的反向恢复损耗：反向恢复损耗 ERR开关特性的测试：PDMB100B12开通损耗EON测量范例：PDMB100B12关断损耗EOF