单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 5.4 MOSFET 的亚阈区导电 本节以前的漏极电流公式只适用于 VGS > VT 并假设当 VGS < VT 时 ID = 0 但实际上当 VGS < VT 时MOSFET 仍能微弱导电这称为 亚阈区导电这时的漏极电流称为亚阈电流记为 IDsub 定义:使硅表面处于本征状态的 VGS 称为
#
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级§3-5 晶体管的反向特性 当发射极开路时IE = 0 但这并不意味VBE = 0 那么VBE 应当为多少呢根据边界条件知当VBC < 0 时在基区中靠近集电结的一侧有: 1浮空电势 基区中的部分少子电子被集电结上的反偏扫入集电区但因 IE = 0 基区少子得不到补充使在靠近发射结一侧有:np(
#
(1-2)式中 代表电位移 当载流子浓度和电场很小而载流子浓度的梯度很大时则漂移电流密度远小于扩散电流密度可以忽略漂移电流密度方程(1-10)简化为(1-19)(1-7)(1-29)
#
#
电力电子器件驱动电路概述 晶闸管的触发电路驱动电路通常包括开通驱动电路关断驱动电路和门极反偏电路三部分可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡可得到较陡的脉冲前沿因此目前应用较广但其功耗大效率较低 典型全控型器件的驱动电路常用的有三菱的M579系列(如M57962L和M57959L)和富士的EXB系列(如EXB840EXB84
??? ?? ??? ????? ??? ???? ??????? ???? ???? ????? ??合肥工业大学电气工程学院电力电子与电力传动教研组电 力 电 子 技 术Power Electronic Technology电力电子器件的驱动保护电力电子器件的串联和并联4.4 电力电子器件驱动电路概述驱动电路——主电路与控制电路之间的接口使电力电子器件工作在较理想的开关状态缩短开关时间减
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第 3 章 双极结型晶体管 3.1 双极结型晶体管基础 PN 结正向电流的来源是多子所以正向电流很大 反向电流的来源是少子所以反向电流很小 如果能用其他方法给反偏 PN 结提供大量少子就能提高反偏 PN 结的电流 给反偏 PN 结提供少子的方法之一是在其附近制作一个正偏 PN 结使正偏
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报