半导体工艺技术第六章 热氧化及SiO2Si界面SiO2与Si之间完美的界面特性是成就硅时代的主要原因硅工艺中的一系列重要硅基材料: SiO2:绝缘栅绝缘介质材料 Si3N4:介质材料用作钝化掩蔽等 多晶硅:可以掺杂导电 硅化物:导电作为接触和互连……1TEM照片——单晶硅表面热氧化所得非晶二氧化硅薄膜2SiO2的基本性质通常热氧化生长的SiO2是非晶的熔点:1700 ?C重量密度:2.27 gc
半导体工艺技术第十二章 工艺集成半导体工艺技术 张晓波xbzhangncut.edu三教24062512 微电子实验室Tel:8880311813681100693 1接触与互联将器件连接成特定的电路结构:金属线及介质的制作使得金属线在电学和物理上均被介质隔离全局互连(Al)局部互连 (多晶硅 硅化物 TiN)(IMD)接触(contact)—金属和硅的结合部通孔(v
半导体工艺技术第十章 刻蚀372.065.1.01集成电路工艺原理第十四讲 薄膜淀积原理半导体工艺技术 张晓波xbzhangncut.edu三教24062512 微电子实验室Tel:8880311813681100693 1两大关键问题:选择性方向性:各向同性各向异性待刻材料的刻蚀速率掩膜或下层材料的刻蚀速率横向刻蚀速率纵向刻蚀速率图形转移过程演示图形转移光刻刻蚀2
半导体工艺技术第十一章 后端工艺半导体工艺技术 张晓波xbzhangncut.edu三教24062512 微电子实验室Tel:8880311813681100693 1一IC封装的作用和类型二IC封装的基本工艺集成电路封装技术2封装测试业已成为中国最大的半导体产业: 2003年:封装测试业产值占70 晶圆制造业产值占17 设计业产值占133 2002年全球
半导体工艺技术第一讲 前言半导体工艺技术 张晓波xbzhangncut.edu三教24062512 微电子实验室Tel:8880311813681100693 1大纲(1)教学参考书:[美] James D. Plummer Michael Deal Peter B. Griffin 《Silicon VLSI Technology Fundamentals Pr
国家重点基础研究发展规划项目 系统芯片中新器件新工艺的基础研究 2005.9.23 半导体工艺IC设计桥梁2D3D PDE 方法DD 模型HD 模型Monte Carlo 方法评估设计 纳米尺度下新材料新结构半导体器件高效率准确器件模型模拟是工艺和设计之间的桥梁集约模型结构网格杂质分布边界条件器件模型模拟必须适应纳米尺度CMOS器件的发展成为新器件结构设计的基础和工具Transistor Sc
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体工艺简介物理与光电工程学院张贺秋参考书:《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》电子工业出版社赵树武等译2004-10室内环境:要求很严恒温恒湿气流名称集成度(数字MOS集成电路)小规模集成电路(SSI)<100中规模集成电路(MSI)102103大规模
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半导体工艺简介微电子学院张贺秋参考书:《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》,电子工业出版社,赵树武等译,2004-10, 第7、8、9和11章10nm(10-6cm)半导体工艺尺寸粗头发100?m(10-2cm)10-3cm(10 ?m)1000倍10万倍(105倍)01cm1000cm(10m)10cm灰尘颗粒的直径一般在10-3cm(10?m)室内环境:要求很严,恒温、恒湿、气流洁净度等级中国
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