电子技术基础模拟部分
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电子技术基础模拟部分
退出vs在正半周时D2D4导通D1D3截止vL = vs 当vI(t)<6V即t<3ms时D截止vo (t)=6V 解:(1)
5-1填空题1 .
第5章 静电场5-1 两小球处于如题5-1图所示的平衡位置时每小球受到张力T重力mg以及库仑力F的作用则有和∴由于θ很小故习题5-1图 ∴ 5-2 设q1q2在C点的场强分别为和则有 习题5-2图 方向沿AC方向
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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组 编童诗白 华成英 主编自测题与习题解答目录第1章 常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章 基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章 多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章 集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章 放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章 放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章 信号的运算和处理‥‥
自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源
第五章习题答案第五章习题答案 1
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