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电子技术基础模拟部分
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退出vs在正半周时D2D4导通D1D3截止vL = vs 当vI(t)<6V即t<3ms时D截止vo (t)=6V 解:(1)
5-1填空题1 .
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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组 编童诗白 华成英 主编自测题与习题解答目录第1章 常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章 基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章 多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章 集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章 放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章 放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章 信号的运算和处理‥‥
自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源
第五章习题答案第五章习题答案 1
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第五章习题解答功率放大器P220 习题5.2.2(1):POM=VCC22RL=4.5W(2):PCM≥0.2POM=O.9W(3):每个管子的耐压: V(BR)ceo≥24V习题5.2.3(1):POM=VCC22RL≥9W ∴ VCC ≥12V(2):ICM ≥1.5A
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