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  第二章 门电路内容提要：二极管三极管开关特性分立元件门电路集成双极型TTL和MOS型门电路及其外部电气特性教学大纲基本要求：熟练掌握TTL和CMOS门的逻辑功能特性参数和使用方法正确理解TTL和CMOS门的电路结构及工作原理（推拉输出开路输出和三态输出）一般了解其它门电路重点和难点：重点：门电路的外部电气特性（电压传输特性输入输出特性抗干扰特性动态特性功耗特性和温度特性等及其使用）难点：TTL门电

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  门电路是用以实现逻辑关系的电子电路0逻辑电平uD(V) 假定：UIH=VCC UIL=0放大区：发射结正偏集电结反偏ube>uT ubc<0起放大作用截止区：发射结集电极均反偏ubc<0Vube<0V一般地ube<时 ib?0Vic?0V即认为三极管截止饱和区：发射结集电极均正偏 ube>VT ubc>VT深度饱和状态下饱和压降UCEs 约为二MOS管开关特性利用二极管的压降为保证输入电压在1V以

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  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第2章 逻辑门电路 逻辑门：完成一些基本逻辑功能的电子电路现使用的 主要为集成逻辑门 首先介绍晶体管的开关特性 着重讨论的TTL和CMOS门电路的 逻辑功能和电气特性 简要介绍其他类型的双极型和MOS门电路 2.1 晶体管的开关特性

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  二极管和三极管的开关特性 nxPR 输出特性v CCi B R BEvBEICSstV dC 提高开关速度的方法是：开通时加大基极驱动电流关断时快速泄放存储电荷2. TTL非门的工作原理VR7503k i输出级CC T Ω TP 输出放大1） vI: VIH→VIL T1放大 7503k iCC R1 I=Ω360T5 设 输出高电平值域：[VOHmin]VOHm

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  对元器件参数精度和电源稳定度较模拟电路低一些二半导体三极管的开关特性：1MOS管的结构：4MOS管的四种类型（列表）：§ 集成电路概述1输入级形式（一）A三 其它逻辑功能的TTL门电路ABCD图 OC门与非门电路结构及国标符号§ CMOS门电路图 带缓冲级的CMOS或非门五CMOS集成门电路的特点（一）与双极型（如TTL）集成电路相比CMOS电路具有如下特点： （1）静

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  三极管的电流分配与放大作用 输出特性曲线 图2-1 三极管的结构示意图与电路符号 图2-2 常见三极管的外形结构图 图2-4 三极管内部载流子的运动情况 通过三极管内部载流子的运动可知三极管各极电流的关系 IC=ICBO IB=IBN-ICBO IE=IBN=

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  3V一高电平和低电平VI控制开关S的断通情况S断开VO为高电平S接通VO为低电平 理想开关 理想开关: 接通时阻抗为零断开时阻抗为无穷大 两状态之间的转换时间为零 VO1.静态开关特性-R2. 动态开关特性tre 〈10nSIBVCCβRC截止时的特点: 发射结和集电结均为反向偏置IB≈IC≈0 发射极和集电极之间如

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  数字电路中用来实现各种逻辑运算的电子电路称作逻辑门电路数字系统中常用高低电平分别表示二值逻辑(只具有两种取值的逻辑关系)的1和0获得高低电平的基本方法如图所示芯片所含门电路数 103105 TTL与非门电路(NAND Gate Circuit)VT3有一个或以上为低电平 电路的抗干扰能力负载能力工作速度和功耗是应用数字集成电路时所关心的重要参数 1.抗干扰能力 反映TTL与非门电路的

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  集成逻辑门电路是把门电路的所有元器件及连接导线制作在同一块半导体基片上构成的它属于小规模集成电路(SSI)它是组成一个较大数字系统的基本单元系列⑵VA=3VVB=0V由于DB优先导通VF=因而DA截止通常将DB导通使VF=0=≈0V称为箝位⑷VA=VB=0VVF=此时DADB均导通 VF=0=≈0V0003F0001⒉或门实现逻辑或功能的电路称为或门 ⒉或门实现逻辑或功能的电路称为或门 ⒉或门实现