常用场效应管(25N120等)参数及代换FGA25N120AND (IGBT) 1200V25ATO3P (电磁炉用)FQA27N25 (MOSFET) 250V27ATO3P IRFP254FQA40N25 (MOSFET) 250V40A280W0.051ΩTO3P IRFP264FQA55N25 (MOSFET) 250V55A310W0.03ΩTO3P FQA18N50V2 (MO
1.4 场效应管及三级管型号大全晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRFU02050V15A42WNMOS场效应 IRFPG421000V4A150WNMOS场效应 IRFPF40900V4.7A150WNMOS场效应 IRFP9240200V12A150WPMOS场效应 IRFP9140100V19A150WPMOS场效应 IRFP460500V20A250
MOSFET场效应管的应用及主要型号:ApplicationMOSFET Device電腦主機板 繪圖卡V-CORE 5503FD 3503FD 1103BFD 1803AFDDDRII 1403BFD 2503FD 4435FDPeripheral 3055FD 3401FN 8958FS 9926FS 2503BFD筆記型電腦V-CORE 4420FS 6680FSDDRI
MOSFET场效应管的应用及主要型号:ApplicationMOSFET Device電腦主機板 繪圖卡V-CORE 5503FD 3503FD 1103BFD 1803AFDDDRII 1403BFD 2503FD 4435FDPeripheral 3055FD 3401FN 8958FS 9926FS 2503BFD筆記型電腦V-CORE 4420FS 6680FSDDRII 4
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级重庆工学院电子学院《模拟电子技术》5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理1. 结构 符号中的箭头方向表示什么2. 工作原理① vGS对沟道
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级一结型场效应管1 结型场效应三极管的结构 N沟道结型场效应三极管的结构如图(a)所示它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构两个P区连接在一起为栅极GN型硅的一端是漏极D另一端是源极SP沟道结型场效应三极管的结构如图(b)所示请看动画5.3-1演示:JFET的结构一结型场效应管
第三章 晶体场效应管 结型场效应管 场效管应用原理 MOS场效应管第三章 场效应管 退出概 述 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件它体积小工艺简单器件特性便于控制是目前制造大规模集成电路的主要有源器件场效应管与三极管主要区别: 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻 场效应管是单极型器件(三极管是双极型器件)场效应管分类:MOS场效应管结型场效应管 退出 MOS场效应管P
2-4-1 结型场效应管1.结构与符号饱和区2-4-3 场效应管特性参数导电结构β(=20200)较小
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级授课班级课程名称电子技术基础与技能教学内容场效应晶体管放大器类型学时学时授课时间教学目的1场效应管的结构及符号2场效应晶体管的特性曲线3场效应晶体管电压放大作用教学重难点教学重难点:场效应晶体管电压放大作用 教学内容及步骤备注2.6 场效应晶体管放大器场效应晶体管简称场效应管(FET)场效应管与三极管一样具有放大能力场效
增强型耗尽型MOS场效应管??2010-08-10 14:34:21??分类: HYPERLINK :lzbao07.blog.163blog l m=0t=1c=fks_087071082085088064092084095095085087087070092081087066087 o ??标签: 字号大中小?订阅 根据导电方式的不同MOSFET又分增
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报