MOSFET场效应管的应用及主要型号:ApplicationMOSFET Device電腦主機板 繪圖卡V-CORE 5503FD 3503FD 1103BFD 1803AFDDDRII 1403BFD 2503FD 4435FDPeripheral 3055FD 3401FN 8958FS 9926FS 2503BFD筆記型電腦V-CORE 4420FS 6680FSDDRI
MOSFET场效应管的应用及主要型号:ApplicationMOSFET Device電腦主機板 繪圖卡V-CORE 5503FD 3503FD 1103BFD 1803AFDDDRII 1403BFD 2503FD 4435FDPeripheral 3055FD 3401FN 8958FS 9926FS 2503BFD筆記型電腦V-CORE 4420FS 6680FSDDRII 4
常用场效应管(25N120等)参数及代换FGA25N120AND (IGBT) 1200V25ATO3P (电磁炉用)FQA27N25 (MOSFET) 250V27ATO3P IRFP254FQA40N25 (MOSFET) 250V40A280W0.051ΩTO3P IRFP264FQA55N25 (MOSFET) 250V55A310W0.03ΩTO3P FQA18N50V2 (MO
1.4 场效应管及三级管型号大全晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRFU02050V15A42WNMOS场效应 IRFPG421000V4A150WNMOS场效应 IRFPF40900V4.7A150WNMOS场效应 IRFP9240200V12A150WPMOS场效应 IRFP9140100V19A150WPMOS场效应 IRFP460500V20A250
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开发应用
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级重庆工学院电子学院《模拟电子技术》5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理1. 结构 符号中的箭头方向表示什么2. 工作原理① vGS对沟道
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级一结型场效应管1 结型场效应三极管的结构 N沟道结型场效应三极管的结构如图(a)所示它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构两个P区连接在一起为栅极GN型硅的一端是漏极D另一端是源极SP沟道结型场效应三极管的结构如图(b)所示请看动画5.3-1演示:JFET的结构一结型场效应管
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