相关文档

• VLSI-14刻蚀.ppt

  集成电路工艺原理第九章 刻蚀原理INFO130024.01372.065.1.01集成电路工艺原理第十四讲 薄膜淀积原理集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章

• VLSI-04光刻上.ppt

  INFO130024.01集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (上)集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1净化的三个层次：上节课主要内容净化级别高效净化净化的必要性器件：少子寿命?VT改变Ion? Ioff?栅击穿电压?可靠性?电路：产率?电路性能?杂质种类：颗粒有机物金属天然氧化层强氧化天然氧化层HF:DI H2O本征吸杂和非本征吸杂环境硅片清洗吸杂2大

• VLSI-05光刻下.ppt

  INFO130024.01集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (下)集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1上节课主要内容基于衍射理论的光刻原理投影式(远场衍射)：分辨率焦深MTF不相干度S接触接近式(近场衍射):最小尺寸光刻胶：正胶负胶光刻胶的组成i线g线(PAC)DUV(PAG)掩模版制作光刻机工作模式：接触式接近式投影式(扫描式步进式步进扫描式)2大

• 刻蚀.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级刻蚀中的化学吴燕宇2010.5.6湿法刻蚀——采用液态的化学腐蚀液去除材料利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分副产物是气体液体或可溶于刻蚀溶液的固体三个基本工艺过程：腐蚀(Etchant Sink)

• 蚀刻.ppt

  Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level:.dlit.edu.tw ?2005 DLIT All rights reserved 半導體製造技術第 16 章蝕刻 DE LIN INSTITUTE OF T

• 刻蚀.ppt

  刻蚀中的化学吴燕宇201056湿法刻蚀采用液态的化学腐蚀液去除材料。利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分。副产物是气体、液体或可溶于刻蚀溶液的固体。三个基本工艺过程：腐蚀（Etchant Sink） 清洗（DI Water Rinse） 旋转甩干（Spin dryer 硅的腐蚀硅几乎不溶于所有的酸中，所以硅的腐蚀液需包含氧化剂（如硝酸）和络合剂（如氢氟酸）。目前广泛采用

• 蚀刻因子蚀刻函数.doc

  蝕刻因子蝕刻函數蝕銅除了要作正面向下的溶蝕外蝕液也會攻擊線路兩側無保護的銅稱之為側蝕(Undercut)因而造成如香菇般的蝕刻品質問題Etch Factor即為蝕刻品質的一種指標Etch Factor一詞在美國(以IPC為主)的說法與歐洲的解釋恰好相反美國人的說法是正蝕深度與側蝕凹鍍之比值故知就美國說法是蝕刻因子越大品質越好歐洲則恰好相反其因子卻是愈小愈好很容易弄錯下圖為阻劑後直接蝕銅結果的明確比

• 光刻与刻蚀工艺.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级微电子工艺学Microelectronic Processing第六章 光刻与刻蚀工艺张道礼 教授Email: zhang-daoli163Voice: 87542894图形转移光 刻刻 蚀薄膜制备掺 杂 扩散掺杂离子注入掺杂物理气相淀积化学气相淀积外 延微电子单项工艺6.1 概述

• 蚀刻.doc

  #

• 蚀刻和侧蚀.pdf

  专栏/ 知识园地