第四课 晶体二极管二极管:D电路符号:二极管的特性:单向导电性二极管的种类:材料: 硅:07V 耐温可180℃ 锗:03V 耐温特性不良,不能超过去100℃二极管的外观:二极管好坏的测量方法: 红表笔接P,黑表笔接N,如测得一个600Ω左右 的阻值,反向不通,则此二极管是好的。肖特基 二极管正向阻值约为200Ω左右。 注意:通电时不能测二极管的好坏!!二极管的作用:⒈整流 ⒉电压隔离⒈整流:将交流
第四节 晶体三极管 ————的伏安特性曲线 晶体三极管的理论伏安特性曲线可以根据埃伯尔斯——莫尔方程直接画出来 理论伏安特性曲线: 是不考虑中性区所固有的体电阻制造工艺上的离散性以及其它的寄生影响等因素 如果考虑到这些影响则实际的伏安特性曲线将偏离理论伏安特性曲线一般都采用实验方法逐点描绘出来或用晶体三极管测试仪直接侧得双口
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级课程概述电子线路:指包含电子器件并能对电信号 实现某种处理的功能电路电路组成:电子器件 外围电路电子器件:晶体二极管晶体三极管场效应管 集成电路外围电路:直流电源电阻电容电流源 电路等1第 1 章 晶体二极管1.0 概 述1.1 半导体物理基础知识1.2 PN 结1.3 晶体二极管电路分析方法
第二节 晶体三极管 ——————的其它工作模式当两个PN结均加正向偏置电压 晶体三极管内部载流子传输过程: 可分解为两个方向相反的传输过程的叠加(1)正向传输:假设发射结正偏置集电结零偏置 1饱和模式 :NIFPNR1 IBIEICIRR2V2V1ECB晶体管内部载流子传输示意图发射结产生的正向偏置电流为 IF 现将它转移到集电极 则为 NIFPNR1 IBIEICR2V1C
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模拟电子技术基础主讲:玄玉波 学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况,对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法,不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。分析非线性电路的四种方法解析法 图解法 分段线性化法增量法(小信号电路分析法)模拟电路中字母大小写大写字母、大写下标:直流值(静态
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 电 工 学 下册 电子技术基础 1 电子技术就是研究电子器件电子电路及其应用的科学技术1.电子器件电子器件的发展什么是电子技术第一代电子器件---电子管2第二代电子器件——晶体管晶体管是用半导体材料制成的也称为半导体器件(semiconductor device)或者固体器件(solidstate d
下一页 半导体的导电特性光敏性:当受到光照时导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件如光敏电阻光敏二极 管光敏三极管等) Si本征半导体的导电机理.2 N型半导体和 P 型半导体在常温下即可变为自由电子 Sia少子的漂移运动--- P接正N接负 ----–---阳极引线金属触丝铝合金小球 b 符号特点:非线性N 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流反向电流
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