第六章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管6-1.绘出在偏压条件下结构中对应载流子积累耗尽以及强反型的能带和电荷分布的示意图采用N型衬底并忽略表面态和功函数的影响解:N型衬底S(1)载流子积累()(2)载流子耗尽层()(3)载流子强反型() M能带 6-2.推导出体电荷表面电势以及表面电场的表达式说明在强反型时他们如何依赖于衬底的掺杂浓度在至 范围内画出体电荷表面电势及电场与的关系解:1)
第四章 金属-半导体结4-1. 一硅肖脱基势垒二极管有0.01 cm的接触面积半导体中施主浓度为10 cm设计算 (a)耗尽层厚度(b)势垒电容(c)在表面处的电场 解:(a) 耗尽层厚度为势垒电容为 (c) ( 在 则上式为表面处电场即时 4-2. (a)从示于图4-3的GaAs肖脱基二极管电容-电压曲线求出它的施主浓度自建
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) 特性曲线及参数 结构 工作原理4.3 金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)4.3.1 N沟道增强型MOSFET1. N沟道增强型MOS管的结构P型衬底沟
四川师范大学物理与电子工程学院5 场效应管放大电路 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 结型场效应管(JFET) 砷化镓金属-半导体场效应管 各种放大器件电路性能比较 MOSFET放大电路 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管.1 N沟道增强型MOSFET.5 MOSFET的主要参数.2 N沟道耗尽型MOSFET.3 P沟道MOSFET.4 沟道长度调制效应.1 N沟
5 场效应管放大电路 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 结型场效应管(JFET) MOSFET放大电路Metal-Oxide-SemiconductorField Effect Transistor 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管.1 N沟道增强型MOSFET.2 N沟道耗尽型MOSFET.1 N沟道增强型MOSFET剖面图1. 结构(N沟道)符号漏极金属栅极
半导体场效应晶体管场效应管放大器大连理工大学微电子学院张贺秋参考:武汉大学物理科学与技术学院PPT场效应管放大电路三种基本接法共源场效应管放大电路自给偏压式共源场效应管放大电路自给偏压-直流工作点UGSIDUDS作图法共源场效应管放大电路自给偏压-直流工作点UGS,IDUDS共源场效应管放大电路分压式或?GADS场效应管放大电路的动态分析 低频小信号等效模型 (以N沟道增强型MOS管
补充:绝缘栅场效晶体管SiO2绝缘层 EGG– 在一定的漏–源电压UDS下使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th) 漏极特性曲线2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管0408耗尽型G在制造时就具有原始导电沟道电子和空穴两种载流子同时参与导电较高 G—S—D
第五章 结型场效应晶体管5-1 硅N沟道JFET具有图5-1a的结构以及以下参数:和计算:(a)自建电势(b)夹断电压 (c)电导G以及(d)在栅极和漏极为零偏压时实际的沟道电导 解: (a) (b) (c) () (d) ()5-2
§ 基本工作原理和分类§ 阈值电压§ I-V特性和直流特性曲线§ 击穿特性§ 频率特性§ 功率特性和功率MOSFET结构§ 开关特性§ 温度特性§ 短沟道和窄沟道效应一MOSFET的基本结构§ MOSFET基本工作原理和分类 当VGS=0V时漏源之间相当两个背靠背的二极管在DS之间加上电压不会在DS间形成电流栅源电压对沟道的影响类型衬底沟道载流子IDS方向电路符号BD一MOSFET的
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第5章 半导体三极管和场效应管及其应用5.1.1 基本结构和类型BNP基极发射极集电极NPN型PNP型5.1 半导体三极管的基本结构一结构基极PNPBCEB发射极集电极二类型PN
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