第5章 半导体器件第7章 半导体器件主讲 刘琼武科大信息学院janetliuqiong163 第7章 半导体器件7.2 PN结及其单向导电特性7.3 半导体二极管7.4 稳压二极管7.1 半导体的导电特性7.5 双极型晶体管第7章 半导体器件要点P型和N型半导体特点: 多子少子参入几价元素2. PN结单向导电性:如何导通及截止3. 二极管的符
强电离区
顺序脉冲发生器2. 双向移位寄存器四位同步二进制计数器即16进制计数器D0 D1 D2 D3× 1 1 0 1 × × × ×四位二进制加法计数器?CP CR LD P T D0 D1 D2 D3 Q0 Q1 Q2 Q3 计 数1 0 0 1--R01表 几种中规模同步计数器 集成计数器一
多数载流子:n型半导体中的电子和p型半导体中的空穴少数载流子:p型半导体中的电子和n型半导体中的空穴空间电荷区:电离施主和电离受主所带电荷存在的区域。表面空间电荷层:表面与内层产生电子授受关系,在表面附近形成表面空间电荷层。电子耗尽层:空间电荷层中多数载流子浓度比内部少。电子积累层:空间电荷层少数载流子浓度比内部少。反型层:空间电荷层中少数载流子成为多数载流子。光生伏特效应:1)用能量等于或大于禁
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级培训教材模拟电子技术基础培训课程大纲 半导体概念和分类 半导体二极管 半导体三级管
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第十一章 半导体材料制备生长技术体单晶生长技术 单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料 半导体硅的单晶生长可以获得电子级(99.999999)的单晶硅 外延生长技术 外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术 新生单晶层的晶向取决于衬底由衬底向外延伸而成故称外延层晶体生长问题生长热力学生长动力学生长系
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第四章 化合物半导体材料李斌斌化合物半导体材料III-V族化合物半导体材料II-VI族化合物半导体材料4.1 常见的III-V化合物半导体化合物晶体结构带隙niunupGaAs闪锌矿1.421.3×1068500320GaP闪锌矿2.27150120GaN纤锌矿3.490010InAs闪锌矿0.358.1×1014330045
第一章 元素半导体 § 目前发现的元素半导体材料有SiGeC(金刚石)Seα-Sn(灰锡)P(磷)Te(碲)和B(硼)这8种曾认为AsSb和I是半导体但对它们的深入研究表明: AsSb是半金属 I是绝缘体Si 硅的化学性质 硅在元素周期表中也处于ⅥA族位置元素符号为Si原子序数14原子量具有金刚石晶体结构硅的地球储量仅次于氧高达主要以二氧化硅或金属的硅酸盐形式存在最纯的硅矿物是石英和硅石Si
用途:存储数据静态RAM:与主从D触发器类似:延时1个时钟2地址译码器 10:2101K 20: 220 1M 26: 226 64M 30: 230 1G Small J Leaded PackageThin Small Package 写入:Xi=1T导通D?Cs读出: Xi=1T导通 Cs ? D课后作业(第1次)1二极管固定ROMW1T导通Y0D快闪存储器(Flash
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