场效应半导体三极管 另一侧称为集电区和集电极用C或c表示(Collector) IE= IEN IEP 且有IEN>>IEP IEN= IBN 且有IEN>> IBN >>IBN 双极型半导体三极管的工作原理这是发射结JeICEO由此可写出三极管三个电极的电流IC= ICBO = IEN - IBN
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按功率分: 小功率管 < 500 mW三极管的特性曲线N 型锗集电结晶体三极管工作原理发射结2. PNP 型三极管二电流放大原理uoCIIBN = IB ICBO 3) 集电区收集扩散过 来的载流子形成集 电极电流 IC三极管放大的条件:输入回路取 VICEO条件: 发射结正偏 集电结反偏特点:
晶体管的结构和类型5. 晶体管的电流分配关系和放大作用5. 晶体管的特性曲线 晶体管的主要参数 温度对晶体管参数的影响NNb基极bN当前国内生产的硅晶体管多为NPN型(3D系列)锗晶体管多为PNP型(3A系列)NcbiCiERb为什么能实现放大呢 iCiBiCc共射输入特性输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线类似uBE●电流分配关系和放大作用℃大2 截止区iB = 0放20℃ 放大区
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第十四章 半导体二极管和三极管14.1 半导体的导电特性14.3 半导体二极管14.5 半导体三极管14.4 稳压管14.2 PN结14.1 半导体的导电特性 在物理学中根据材料的导电能力可以将他们划分导体绝缘体和半导体(Semiconductor) 典型的半导体是硅Si和锗Ge它们都是4价元素硅原子锗原子硅和
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级《模拟电子技术》重庆工学院电子学院4.1 半导体三极管4.1.1 BJT的结构简介4.1.2 放大状态下BJT的工作原理4.1.3 BJT的V-I特性曲线4.1.4 BJT的主要参数4.1.1 BJT的结构简介(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率
BJT的主要参数集电极用C或c 表示(Collector)基区很薄一般在几个微米至几十个微米且掺杂浓度最低载流子运动 动画四载流子的传输过程VCC?iB = 20 uAVBE =VBB即 IC = ?IE ICBO = ?(IB IC) ICBO 综上所述三极管的放大作用主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输然后到达集电极而实现的实现这一传输过程的两个条件
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