相关文档

• 第6章__电子技术中常用半导体器件.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级跳转到第一页第二篇 电子技术基础第6章 电子技术中常用半导体器件第7章 基本放大电路第8章 集成运算放大器第9章 组合逻辑电路第10章 触发器和时序逻辑电路第11章 存储器第12章 数模和模数转换器第一篇2004年9月制作 曾令琴主编 曾令琴半导体基本概念 二极管 单双极刑三极管电子技术中常用半导体器件

• -第6章--电子技术中常用半导体器件.ppt

  #

• 电路与模拟电子技术-第6章-半导体器件.ppt

  第6章 半导体器件 常用的半导体器件有二极管三极管和场效应管本章重点介绍常用半导体器件的结构伏安特性和主要参数 半导体器件是构成电子电路的最基本单元掌握半导体器件的特征是分析电子电路的基础 半导体二极管 检波电路是把信号从已调波中检出来的电路?（2）输出特性①放大区条件：发射结正偏集电结反偏特点：IC IB IC仅由IB决定②截止区条件：两个PN结均反偏特点是IB

• 模拟电子技术答案-第1章-常用半导体器件.doc

  第1章 常用半导体器件自测题一判断下列说法是否正确用×和表示判断结果填入空内(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素可将其改型为P 型半导体( ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子所以它带负电( × ) (3)PN 结在无光照无外加电压时结电流为零( ) (4)处于放大状态的晶体管集电极电流是多子漂移运动形成的( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向

• 电子技术第01讲（半导体器件）.ppt

  本征半导体完全纯净的结构完整的半导体晶体称为本征半导体4表示除去价电子后的原子硅或锗 少量磷? N型半导体P空穴空穴被认为带一个单位的正电荷并且可以移动－－－－漂移运动－－－－－PN结处载流子的运动－P－_反向饱和电流很小?A级符号死区电压 硅管锗管UQi二极管半波整流t-稳定电流iR发射极CEB基极B_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ NEc静态电流放大倍数UCERC8016

• 电子技术第01讲（半导体器件）.ppt

  #

• 电子技术第01讲（半导体器件）.ppt

  本征半导体完全纯净的结构完整的半导体晶体称为本征半导体4表示除去价电子后的原子硅或锗 少量磷? N型半导体P空穴空穴被认为带一个单位的正电荷并且可以移动－－－－漂移运动－－－－－PN结处载流子的运动－P－_反向饱和电流很小?A级符号死区电压 硅管锗管UQi二极管半波整流t-稳定电流iR发射极CEB基极B_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ NEc静态电流放大倍数UCERC8016

• 模拟电子技术---半导体器件.ppt

  导体半导体和绝缘体 本征半导体6形成共价键后每个原子的最外层电子是八个构成稳定结构1.载流子自由电子和空穴2.本征半导体的导电机理本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流 2. 空穴移动产生的电流415P 型半导体中空穴是多子电子是少子－－在同一片半导体基片上分别制造P 型半导体和N 型半导体经过载流子的扩散在它们的交界面处就形成了PN 结－－2

• 模拟电子技术基础-第1章-常用半导体器件题解.doc

  #

• 第1章_常用半导体器件.ppt

  单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级1.常用半导体器件1.1 半导体基础知识1.2 半导体二极管1.3 晶体三极管1.4 场效应管1.5 单结晶体管和晶闸管1.6 集成电路中的元件主要内容 1掌握以下基本概念：半导体材料的特点空穴扩散运动漂移运动PN结正偏P