vORCRC图 vBE?tiCMvCE0QRBTTRCicIB2vo=vce9Vbeb2222023vS图 (b)rce 等效电路分析法(续) 等效电路分析法(续)RE-RoRS2222023RC-2222023--
N沟道-sN2. 结型场效应管的工作原理(以N沟道为例)(2)漏源电压对沟道的控制作用 3 结型场效应管的特性曲线uDS=-2VuDSu3(2)夹断电压UP UP 是耗尽型MOS管和结型管的参数当uGS=UP时漏极电流为零1Vci一. 场效应管放大器的直流偏置电路gDD计算Q点:Tug3-g其中:rgs是输入电阻理论值为无穷大可以忽略rds为输出电阻类似于双极型晶体管的rce可以忽略-c
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第三章 半导体二极管及其基本电路主要内容半导体的基本知识PN结的形成半导体二极管及其性质与参数特殊二极管半导体材料及特性半导体的共价键结构本征半导体空穴及其导电作用杂质半导体 §3.1 半导体的基本知识 半导体是一种导电特性位于导体和绝缘体之间的物质典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等掺杂性:二极管三极管场
和三极管一样,场效应管也有放大作用,因此可以用它组成各种放大电路。显然,在场效应管放大电路中,场效应管应工作在恒流区。场效应管放大电路有共源、共漏和共栅三种组态,它们分别相当于三极管的共射、共集和共基组态。第3章场效应管及基本放大电路?与三极管放大电路一样,场效应管放大电路也需要建立合适的静态工作点,以保证管子工作在恒流区;也存在工作点的稳定问题。由于场效应管是电压控制型器件,栅流必须为零,因此需
第3章 场效应管及其应用31 场效应管及其应用32 场效应及其放大电路31 场效应管 场效应管按结构分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类。 311结型场效应管1 结型场效应管的结构及工作原理1) 基本结构及符号如图31(a)所示, 在一块N型硅半导体两侧制作两个P型区域, 形成两个PN结, 把两个P型区相连后引出一个电极, 称为栅极, 用字母G(或g)表示。 图 31结型场效应管结构
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1 常用半导体器件1.1 半导体基础知识1.2 半导体二极管1.3 晶体三极管1.4 场效应管1.5 单结晶体管和晶闸管1.6 集成电路中的元件1.1 半导体基础知识 在物理学中根据材料的导电能力可以将它们划分为导体绝缘体和半导体 典型的半导体是硅Si和锗Ge它们都是4价元素硅原子锗原子硅和锗最外层轨道上的四个电
模拟电子技术基础输入端:反馈信号在输入端的联接分为串联和并联两种方式◆电压控制的电压源◆输入以电压形式求和(KVL)四种类型的反馈组态并联反馈:()(-)(-)反馈通路电流反馈 则iI最好为恒流源即信号源内阻RS越大越好并联反馈判断反馈的组态CERE1:电流串联负反馈RB3?规 律:并联:反馈量
点击此处结束放映(1)正弦波振荡的平衡条件 作为一个稳态振荡电路相位平衡条件和振幅平衡条件必须同时得到满足(2)正弦波振荡的起振条件AF>1 3. RC桥式振荡电路的振荡特性(1)相位平衡条件 (2) 振幅平衡条件 (3)振荡频率 (4)振荡的建立过程 (5)稳幅过程 (6)RC桥式正弦波振荡电路中振荡频率的调节(2)电容三点式LC振荡电路 电容三点式振荡
4.互补式功放电路的输出功率是否为单管功放电路的二倍 功率放大电路概述一主要技术指标选择功放管时要注意极限参数的选择还要注意其散热条件使用时必须安装合适的散热片和各种保护措施图.1 (a)共射放大电路直流电源提供的直流功率不变电源提供的功率为PVICQ VCC 全部消耗在管子上直流电源提供的功率不变有输入信号二管交替导通?乙类(? = ? )丁类:功放管工作在开关状态管子 仅在饱和导通时
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