两种载流子★ 载流子:能够导电的电荷 半导体中的两种载流子:自由电子空穴 ★两种载流子导电的差异:图1-4 ●自由电子在晶格中自由运动 ●空穴运动即价电子的填补空穴的运动始终在原子的共价键间运动 (二)杂质半导体
第二章 半导体二极管及 应用电路§2-1 半导体基础知识(一)半导体 半导体材料 其导电能力介于导体和绝缘体之间 半导体具有某些特殊性质:如压敏热敏及掺杂特性导电能力改变 本征半导体空穴及其导电作用一本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程可以将半导体制成晶体现代电子学中用的最多的半导体是硅和锗它们的最外层电子(价电子)都是四个本征半导体:完
课程的性质与任务第九章 运算放大器第十章 集成稳压电路第十一章 在系统可编程模拟器件 引言 半导体物理知识结 实际二极管的伏安特性二极管的模型参数分析方法及基本应用 其它类型的二极管负极半导体材料制作电子器件的原因8.2 本征半导体44自由电子本征半导体中空穴的浓度.3 杂质半导体44少数载流子24带负电荷的自由电子26内建电场 PN结的伏安特性A正向偏压的接法:P区接高电位N区
晶体二极管及应用电路测试题一.选择题(60分)1.如图所示电路图中当电源V1=5V时测得I=1mA若把电源电压调到V1=10V则电流的大小将是___AI=2mA BI<2mA CI>2mA 2.图中设电路中V1=5保持不变当温度为20°C时测得二极管的电压Vd=当温度上升到40°C时 则Vd的大小将是___AVd= BVd> CVd<3.如图所示的电路中已知二极管的反向击穿
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第 1 章 晶体二极管和二极管整流电路本章学习目标1.1 晶体二极管1.2 晶体
第九章 二极管和晶体管93 半导体二极管94 稳压二极管95 晶体管92PN结及其单向导电性91 半导体的导电特性96 光电器件第9章 半导体二极管和三极管本章要求:一、理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和电流放大作用;二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线,理解主要参数的意义;三、会分析含有二极管的电路。半导体的基本知识1导体、半导体和绝缘体 自然界中很容易导电的物质
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版标题样式(1-)单击此处编辑母版标题样式半导体二极管 5.1 半导体基础知识 5.2 半导体二极管二极管应用电路 5.3 单相整流滤波电路 5.4 稳压二极管及其稳压电路 本章主要内容第五章 半导体二极管及其应用电路导体:自然界中很容易导电的物质称为导体金属一般都是导体绝缘体:有的物质几乎不导电称
PN结的形成及特性 本征半导体本征半导体——化学成分纯净的半导体它在物理结构上呈单晶体形态本征激发 本征半导体的导电能力弱如果掺入微量的杂质元素导电性能就会发生显著改变按掺入杂质的性质不同分N型半导体和P型半导体统称为杂质半导体 在硅(或锗 )晶体中掺入少量的3价元素如硼(B)或铝(Al)则硅晶体中某些位置的硅原子被硼原子代替 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时缺少一个价电子而
特殊二极管集成电路芯片硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的 本征半导体的导电能力弱如果掺入微量的杂质元素导电性能就会发生显著改变按掺入杂质的性质不同分N型半导体和P型半导体统称为杂质半导体 在硅(或锗 )晶体中掺入少量的3价元素如硼(B)或铝(Al)则硅晶体中某些位置的硅原子被硼原子代替 因三价杂质原子在与硅原子形成共
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体二极管及其应用电路第1章 半导体二极管及其 应用电路1.1 PN结1.2 半导体二极管1.3 整流滤波电路1.4 特殊二极管1.1 PN结 1.1.1 半导体的基础知识 图1.1表示的是由二极管 灯泡 限流电阻 开关及电源等组成的简单电路
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