模块一 半导体器件基础 半导体的基本知识 半导体二极管 半导体三极管 BJT模型 场效应管 半导体的基本知识 在物理学中根据材料的导电能力可以将他们划分导体绝缘体和半导体 典型的半导体是硅Si和锗Ge它们都是4价元素硅原子锗原子硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子 本征半导体的共价键结构束缚电子在绝对温度T=0K时所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中不会成为自由电子因此本征半导体的导
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模(二)晶体管时代 2000年以来以集成电路为基础的电子信息产业已成为世界第一大产业电子信息产业的发展在国民经济发展中具有十分重要的战略意义科学家认为人类继石器青铜器铁器时代之后进入了硅石时代 2. 杂质半导体自由运动的带电粒子简化模型1. 本征半导体中电子空穴成对出现且数量少 磷原子4①空穴是多子自由电子是少子 扩散运动-P2. PN结外加反向电压时处于截止状态EO构成:
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级主编:马永兵(maybnjcit.ed)南京信息职业技术学院继续教育学院:ces.njcit模拟电子技术基础同学们好 李姝骁 电子信息教研室课程结构二极管集成器件三极管场效应管基本(单管)放大器差动放大器功
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第一章 半导体器件基础1.1 半导体的基本知识1.2 半导体二极管1.3 半导体三极管1.4 BJT模型1.5 场效应管1.1 半导体的基本知识 在物理学中根据材料的导电能力可以将他们划分导体绝缘体和半导体 典型的半导体是硅Si和锗Ge它们都是4价元素硅原子锗原子硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子 本征半导体的
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第1章 半导体器件基础 (3) 饱和区 曲线靠近纵轴附近 各条输出特性曲线的上升部分属于饱和区 在这个区域 不同IB值的各条特性曲线几乎重叠在一起 即当UCE较小时 管子的集电极电流IC基本上不随基极电流IB而变化 这种现象称为饱和此时三极管失去了放大作用 ICβIB或ΔICβΔIB关系不成立
P集电结C集电极E发射极N 型 Si 衬底Fundamental of Semiconductor DevicesChapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction TransistorsP 隔离区Fundamenta
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半导体器件基础
模电拟技子术广西机电职业技术学院电气系单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级模电拟技子术项目一 半导体器件基础绪 论 一电子技术的发展与应用概况 电子技术是研究电子器件 电子电路及其应用 的科学技术 电子技术的应用以信息科学技术为中心的包括计算机技术生物基因工程光电子技术军事电子技术生物电子学新型材料新型能源海洋开发工程技术
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